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ALD簡(jiǎn)介

   原子層沉積技術(shù)(Atomic Layer Deposition，簡(jiǎn)稱ALD)是一種在納米尺度上進(jìn)行薄膜沉積的先進(jìn)技術(shù)。通過(guò)將物質(zhì)以單原子形式一層一層的鍍?cè)诨妆砻妫瑩碛袃?yōu)異的三維共形性、大面積成膜的均勻性和精確控制膜厚等特點(diǎn)。

ALD應(yīng)用

ALD在能源領(lǐng)域應(yīng)用

2009年，Miyaska課題組將鈣鈦礦材料MAPbI3用作燃料敏化太陽(yáng)能電池的光伏活性層，正式開(kāi)啟了鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的新紀(jì)元。ALD憑借其均勻成膜性、精準(zhǔn)控制厚度和保形性等多種優(yōu)勢(shì)，在光伏領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用。除此之外，ALD技術(shù)還可用于鋰電池薄膜涂層，提高電池性能。

ALD在泛半導(dǎo)體應(yīng)用

隨著泛半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，對(duì)微型化和集成化要求越來(lái)越高，尺寸縮小至亞微米和納米量級(jí)，ALD作為一種高精度薄膜沉積技術(shù)，可用于晶體管柵極電介質(zhì)層(高K材料)、金屬柵電極、有機(jī)發(fā)光顯示器涂層、銅互聯(lián)擴(kuò)散阻擋層、DRAM電介質(zhì)層、微流體和MEMS涂層、傳感器等眾多領(lǐng)域。

ALD在光學(xué)領(lǐng)域應(yīng)用

由于 ALD 具有的三維共形沉積和大面積均勻性特點(diǎn)，已成功應(yīng)用于高質(zhì)量光學(xué)薄膜、增透膜、折射率可調(diào)的光學(xué)薄膜、波狀多層膜，改善了光子晶體的光學(xué)性質(zhì)和可控性，增加了光子晶體在未來(lái)光學(xué)器件中的應(yīng)用潛力。

 公司致力于ALD高純半導(dǎo)體薄膜前驅(qū)體材料的自主研發(fā)和生產(chǎn)，成立以來(lái)，已陸續(xù)向多家半導(dǎo)體客戶提供了百余種前驅(qū)體新材料，包括高純硅基前驅(qū)體系列、High-k前驅(qū)體系列產(chǎn)品，部分新品已被客戶用于5nm以下制程薄膜設(shè)備。我們致力為客戶提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品并建立互信、長(zhǎng)久的合作關(guān)系，產(chǎn)品具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)且原材料國(guó)產(chǎn)化，打破國(guó)外壟斷的同時(shí)保證供應(yīng)鏈的安全。研峰科技愿與國(guó)內(nèi)芯片、高端顯示、光伏新能源等高端客戶一起攜手，解決高端半導(dǎo)體材料的把脖子難題，早日實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代。