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Cyclopentadienyl tris(dimethylamino) zirconium CpZr 環戊二烯基三(二甲氨基)鋯

規格: 99.5%(99.9999%-Zr)
CAS: 33271-88-4
產品編號: H82885
MDL: MFCD13182458
品牌: INFI

ALD簡介

   原子層沉積技術(Atomic Layer Deposition,簡稱ALD)是一種在納米尺度上進行薄膜沉積的先進技術。通過將物質以單原子形式一層一層的鍍在基底表面,擁有優異的三維共形性、大面積成膜的均勻性和精確控制膜厚等特點。

ALD應用

ALD在能源領域應用

2009年,Miyaska課題組將鈣鈦礦材料MAPbI3用作燃料敏化太陽能電池的光伏活性層,正式開啟了鈣鈦礦太陽能電池的新紀元。ALD憑借其均勻成膜性、精準控制厚度和保形性等多種優勢,在光伏領域中發揮著重要作用。除此之外,ALD技術還可用于鋰電池薄膜涂層,提高電池性能

ALD在泛半導體應用

隨著泛半導體行業的發展,對微型化和集成化要求越來越高,尺寸縮小至亞微米和納米量級,ALD作為一種高精度薄膜沉積技術,可用于晶體管柵極電介質層(高K材料)、金屬柵電極、有機發光顯示器涂層、銅互聯擴散阻擋層、DRAM電介質層、微流體和MEMS涂層、傳感器等眾多領域。

ALD在光學領域應用

由于 ALD 具有的三維共形沉積和大面積均勻性特點,已成功應用于高質量光學薄膜、增透膜、折射率可調的光學薄膜、波狀多層膜,改善了光子晶體的光學性質和可控性,增加了光子晶體在未來光學器件中的應用潛力。

 公司致力于ALD高純半導體薄膜前驅體材料的自主研發和生產,成立以來,已陸續向多家半導體客戶提供了百余種前驅體新材料,包括高純硅基前驅體系列、High-k前驅體系列產品,部分新品已被客戶用于5nm以下制程薄膜設備。我們致力為客戶提供優質的產品并建立互信、長久的合作關系,產品具有自主知識產權且原材料國產化,打破國外壟斷的同時保證供應鏈的安全。研峰科技愿與國內芯片、高端顯示、光伏新能源等高端客戶一起攜手,解決高端半導體材料的把脖子難題,早日實現進口替代。




Chemical NameCyclopentadienyl Tris(dimethylamino) Zirconium
Chemical Name Translation環戊二烯基三(二甲氨基)鋯
Restrict 危險品
33271-88-4 H82885 Cyclopentadienyl tris(dimethylamino) zirconium CpZr
環戊二烯基三(二甲氨基)鋯
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化學屬性

Mol. FormulaC6H18N3Zr.C5H5
Mol. Weight288.54
Danger-Level-
pH-:-
Redox-
Density1.0

*以上化合物性質及應用等信息僅供參考