ALD前驅(qū)體
半導體、能源、光學
ALD前驅(qū)體簡介
在晶圓上制造芯片需要經(jīng)過上百個工序，主要的工藝步驟包括光刻、刻蝕、摻雜、薄膜沉積等往復循環(huán)。薄膜沉積工藝中ALD技術(shù)即原子層沉積(AtomicLayerDeposition)是精細制程、深溝槽和立體結(jié)構(gòu)中必選的工藝。ALD所需的前驅(qū)體多為MO源（金屬有機源）產(chǎn)品，一般要求純度達到99.9999%以上，雜質(zhì)濃度達ppb級別以內(nèi)，工藝復雜，需要超高的金屬有機合成和高純度提純的能力，代表著行業(yè)最高科研能力。
ALD在半導體應用
隨著泛半導體行業(yè)的發(fā)展，對微型化和集成化要求越來越高，尺寸縮小至亞微米和納米量級，ALD作為一種高精度薄膜沉積技術(shù)，可用于晶體管柵極電介質(zhì)層(高K材料)、金屬柵電極、有機發(fā)光顯示器涂層、銅互聯(lián)擴散阻擋層、DRAM電介質(zhì)層、微流體和MEMS涂層、傳感器等眾多領(lǐng)域。
DRAM存儲
ALD在能源領(lǐng)域應用
2009年，Miyaska課題組將鈣鈦礦材料MAPbI3用作燃料敏化太陽能電池的光伏活性層，正式開啟了鈣鈦礦太陽能電池的新紀元。ALD憑借其均勻成膜性、精準控制厚度和保形性等多種優(yōu)勢，在光伏領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用。除此之外，ALD技術(shù)還可用于鋰電池薄膜涂層，提高電池性能。
鈣鈦礦電池
應用：電子傳輸層、鈍化保護層
優(yōu)勢：低溫工藝、均勻成膜性、臺階覆蓋率好
作用：阻隔鈣鈦礦與電極擴散、阻隔空氣、傳輸電子
鋰電池
應用：電極涂層
優(yōu)勢：保形性、無孔隙、精準控制厚度
作用：延長鋰離子電池壽命、提高產(chǎn)品安全性
ALD在光學領(lǐng)域應用
由于 ALD 具有的三維共形沉積和大面積均勻性特點，已成功應用于高質(zhì)量光學薄膜、增透膜、折射率可調(diào)的光學薄膜、波狀多層膜，改善了光子晶體的光學性質(zhì)和可控性，增加了光子晶體在未來光學器件中的應用潛力。
公司研發(fā)生產(chǎn)能力
在半導體領(lǐng)域，公司主要致力于高純半導體薄膜 （ALD、CVD）前驅(qū)體材料的自主研發(fā)和生產(chǎn)，成立以來，已陸續(xù)向多家半導體客戶提供了百余種前驅(qū)體新材料，包括高純硅基前驅(qū)體系列、High-k前驅(qū)體系列等產(chǎn)品，部分新品已被客戶用于5nm以下制程薄膜制備。 公司致力為客戶提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品并建立互信、長久的合作關(guān)系，產(chǎn)品具有自主知識產(chǎn)權(quán)且原材料國產(chǎn)化，打破國外壟斷的同時保證供應鏈的安全。敦茂新材料愿與國內(nèi)芯片、高端顯示、光伏新能源等高端客戶一起攜手，解決高端半導體材料的卡脖子難題，早日實現(xiàn)進口替代。
產(chǎn)品索引
前驅(qū)體用途索引
| SiN層 | 高介電常數(shù)前驅(qū)體（High-K） | 低介電常數(shù)前驅(qū)體（Low-k） | 銅互連層 | 鈣鈦礦光伏電池 |
|---|---|---|---|---|
| DIS | TDMAH | BDEAS | CCTBA | TDMASn |
| TEMAH | BTBAS | PDMAT | PbI2 | |
| TDMAT | 3DMAS | CpCo(CO)2 | PbBr2 | |
| TDMAZ | Ru(EtCp)2 | |||
| TEMAZ | ||||
| Cp-Zr | ||||
| Cp-Hf |
前驅(qū)體元素索引
| 硅 Si | 鉿 Hf | 鋯 Zr | 鈦 Ti | 鈷 Co | 鉭 Ta | 釕 Ru | 鉑 Pt |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DIS | TDMAH | TDMAZ | TDMAT | CCTBA | PDMAT | Ru(EtCp)2 | (MeCp)PtMe3 |
| BDEAS | TEMAH | TEMAZ | TiCl4 | CpCo(CO)2 | |||
| BTBAS | Cp-Hf | Cp-Zr | |||||
| 3DMAS |
